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SUM40010EL-GE3  与  IPB015N04N G  区别

型号 SUM40010EL-GE3 IPB015N04N G
唯样编号 A-SUM40010EL-GE3 A-IPB015N04N G
制造商 Vishay Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.2mΩ
上升时间 - 10ns
Qg-栅极电荷 - 250nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 120S
封装/外壳 TO-263 -
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 120A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 13ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 20000pF @ 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 200µA
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 250W
典型关闭延迟时间 - 64ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
典型接通延迟时间 - 40ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 250nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SUM40010EL-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

TO-263

暂无价格 0 当前型号
BUK961R6-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK961R6-40E_SOT404

¥23.3955 

阶梯数 价格
10: ¥23.3955
100: ¥17.33
400: ¥14.6864
800: ¥13.4738
50 对比
IPB015N04N G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB015N04NGATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
PSMN1R6-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R6-30BL_SOT404

¥15.1504 

阶梯数 价格
210: ¥15.1504
400: ¥12.8393
800: ¥11.7792
0 对比
IPB120N04S4-02 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB120N04S402ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
PSMN3R4-30BL,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R4-30BL_SOT404

¥9.0105 

阶梯数 价格
170: ¥9.0105
400: ¥6.9849
800: ¥5.5632
0 对比

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